Il chip IBM e Samsung VTFET è una svolta per i semiconduttori non solo dal punto di vista della progettazione, ma soprattutto per le potenzialità in termini di performance e riduzione dei consumi: necessita fino all’85% di energia in meno.
Il dispositivo ha un’architettura a transistor verticale basata sulla superficie di un chip. Questo permette a un numero esponenziale di transistor di essere impilati in verticale all’interno di un chip, rimuovendo i vincoli di densità ed efficienza energetica degli attuali transistor, che sono disposti orizzontalmente per giacere piatti sulla superficie di un semiconduttore.
La riduzione di energia porterà a significativi miglioramenti nelle prestazioni in svariati ambiti, come le batterie dei telefoni cellulari; i processi ad alta intensità energetica; l'espansione dell'Internet of Things (IoT) e dei dispositivi edge.
maggiori informazioni su:
www.ibm.com/it-it/ www.samsung.com/it/
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